据韩国统计厅周四公布的数据，1月芯片库存环比猛增了28%，为1996年2月以来的最大月度增幅，而与一年前相比，芯片库存飙升了39.5%。

　　与之相对应的是芯片出货量大幅下滑。统计厅数据显示，由于芯片价格大幅下跌，1月芯片产量环比降5.7%，出货量环比跌25.8%。

　　从去年开始，在美联储等全球主要央行的连环加息风暴下，全球半导体需求低迷，导致韩国出口持续下滑。

　　根据官方统计的数据，2 月份韩国半导体产品的出口额为59.6亿美元，同比下滑42.5%。此外，2月份整体出口额同比下降7.5%，并为连续第12个月出现贸易逆差。

　　对此，韩国财长秋庆镐周四警告称，除非芯片销售出现反弹，否则韩国的出口低迷将持续下去。

　　作为韩国出口的关键商品之一，半导体制造是韩国经济的主要推动力。由于出口持续低迷，去年四季度韩国经济出现了近3年来的首次下滑。

　　然而，未来全球央行可能会在未来继续将利率保持在高水平，加上地缘紧张持续加剧，给全球半导体需求蒙上一层阴影。韩国半导体出口将继续受到威胁，本季度的经济看起来也面临巨大挑战。

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　　得益于颠覆性的 3D 芯片堆叠技术，AMD Ryzen 9 7950X3D 已成为目前最强的游戏处理器之一，但奇怪的是，该公司在发布 Ryzen 7000X3D 时没有提到任何关于其新的第二代 3D V-Cache 细节。

　　AMD 在最近的一次技术会议上向外媒分享了一些细节。据介绍，这颗 Chiplet 芯片仍采用 7nm 工艺，但峰值带宽提高到了 2.5 TB / s，而初代 3D V-Cache 峰值带宽为 2TB /s。

　　此外，我们还拿到了 AMD Ryzen 7000 处理器的新型 6nm I / O 芯片的新图片和参数。

　　总的来说，AMD 第二代 3D V-Cache 技术比第一代技术再次向前迈出了一大步。

　　首先，AMD 的 3D V-Cache 技术将一颗额外的 L3 SRAM 芯片直接堆叠在计算芯片 （CCD） 芯片的中心，从而将其与温度较高的核心隔离开来。这颗芯片为它带来了 96MB 3D 缓存，从而提高了对延迟敏感类应用程序的性能表现，比如游戏。

　　AMD 在 2023 年国际固态电路会议 （ISSCC） 上展示了一些关于第二代 3D V-Cache 实现的新技术，并就 Zen 4 架构进行了演示。

　　AMD 上一代 3D V-Cache 将 L3 SRAM 芯片堆叠在 7nm Zen 3 CCD 上，而新一代的 L3 SRAM 芯片依然坚持采用了 7nm 工艺，但它需要堆叠在更小的 5nm Zen 4 CCD 上。这就造成了尺寸不匹配，因此需要进行一些修改，最终大幅提高了其晶体管密度。

　　与之前一样，这颗额外的 L3 SRAM 缓存带来了 4 个 clock 的时钟信号延滞，但 L3 芯片和基本芯片之间的带宽增加到 2.5 TB / s，比之前的 2 TB / s 提高了 25%。

　　这颗 L3 SRAM 芯片通过两种类型的 TSV 硅通孔连接到基础模芯片部分。其中 Power TSV 负责传输能量，Signal TSV 负责传输数据。

　　在第一代 L3 SRAM 芯片设计中，两种类型的 TSV 都位于基础芯片的 L3 区域，然而随着 5nm 工艺的改进，基础芯片上的 L3 缓存部分的面积现在有所减少。因此，即使 7nm 的 L3 SRAM 芯片面积更小，它现在也与 L2 缓存 （前一代只重叠了 L3 缓存部分） 发生重叠，所以 AMD 不得不改变基本芯片和 L3 SRAM 芯片中的 TSV 连接设计。